[实用新型]一种超声电化学复合的晶片清洗装置有效
申请号: | 201922354159.4 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN210956618U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 高雅欣;潘继生;阎秋生 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 王锦霞 |
地址: | 510060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本实用新型涉及超精密加工的技术领域,更具体地,涉及一种超声电化学复合的晶片清洗装置,包括壳体、晶片装夹组件、电化学清洗组件、超声组件以及驱动组件,晶片装夹组件与驱动组件连接,晶片装夹组件包括用于放置晶片的片槽以及安装于片槽两端的转轴,片槽悬空置于壳体内,转轴与壳体转动连接;电化学清洗组件包括阴极和阳极,阴极和阳极分别设于片槽的两侧;超声组件设于晶片装夹组件的下方。本实用新型结合超声振动作用和电化学电解作用进行清洗,微气泡的微射流作用于晶片表面使得污物层被分散、乳化、剥离,利用电极分解水产生具有氧化性极强的羟基自由基将有机污染物氧化为H |
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搜索关键词: | 一种 超声 电化学 复合 晶片 清洗 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造