[实用新型]一种涡流抑制结构有效
申请号: | 201922381538.2 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN211376925U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 彭春瑞;李君儒;陈锶;高杨;任万春 | 申请(专利权)人: | 四川爆米微纳科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/04 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 蒋杰 |
地址: | 621010 四川省绵阳市涪城区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种涡流抑制结构,包括磁致伸缩层,还包括绝缘介质层,所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层内,用于打断涡流从而抑制体声波磁电天线涡流损耗。本实用新型在磁致伸缩层中插入绝缘介质层来减小涡流损耗,使体声波磁电天线的辐射效率提高,解决了现有技术方案中空气隙间隔磁致伸缩层导致应力不连续、磁电天线辐射效率低的问题。使用绝缘介质层作为间隔层可以改善磁致伸缩层的软磁特性,有效降低磁致伸缩层的矫顽力,提高辐射区的灵敏度。通过仿真分析,该方案可以有效减小涡流损耗65%以上,大幅地提高磁电天线的辐射效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 涡流 抑制 结构 | ||
【主权项】:
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