[实用新型]封装内保护碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201922398096.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN211480022U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 吕全亚;郭建新;刘域庭;徐晨辰;陈莉娜 | 申请（专利权）人： | 常州佳讯光电产业发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/08 |
| 代理公司： | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及封装内保护碳化硅二极管。该碳化硅二极管包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内并联设有碳化硅二极管和电容器，所述电容器与电阻串联；当碳化硅二极管个数大于2时，相邻的碳化硅二极管共阴设置或共阳设置；每个碳化硅二极管分别与串联在一起的电容器和电阻并联；所述电阻为普通电阻或氧化锌电阻。该种封装内保护碳化硅二极管，在封装结构内可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，从而保护电路，提高碳化硅二极管的使用寿命；并缩短连接电路所需的引线，消除引线电感，防止引线辐射，减少电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 保护 碳化硅 二极管 | ||
【主权项】：
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