[实用新型]一种激光电池芯片参数的测试装置有效
申请号: | 201922401785.4 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN210837659U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 谢永桂;宋婷;宋娉 | 申请(专利权)人: | 西安航谷微波光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种激光电池芯片参数的测试装置,包括光学平板和设于光学平板上的用于放置待测试芯片的圆片的载片移动台,在光学平板上设有一对三轴高精度移动平台,移动平台上夹持有一对POGO PIN,一对POGO PIN的底端部分别扎在待测试圆片的芯片上;还包括一个连接一对POGO PIN的晶体管特性图示仪和一个体视显微镜;通过体视显微镜观测一对POGO PIN设在待测试圆片上芯片的区域,通过一对POGO PIN测试待测试圆片,并通过晶体管特性图示仪显示待测试芯片的电参数性能。本实用新型POGO PIN既可与芯片有良好的接触又不会划伤芯片,提高测试合格率,并可以准确地剔除不合格的激光器芯片,大幅降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 电池 芯片 参数 测试 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造