[实用新型]一种长晶装置有效

专利信息
申请号: 201922422271.7 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN211497866U 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 方帅;高宇晗;高超;李霞;宁秀秀;王路平;张九阳;王宗玉;杨晓俐;潘亚妮;舒天宇 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 王宽
地址: 250100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本申请公开了一种长晶装置,属于半导体材料领域。该长晶装置的保温层包括至于坩埚上方的上保温层组,上保温层组设置测温孔,上保温层组包括共中心轴的第一上保温层和第二上保温层,第一上保温层设置第一开口,第二上保温层设置第二开口,测温孔使坩埚内形成盛放原料的低温区和设置籽晶的高温区;包括旋转调节机构,旋转调节机构旋转第一上保温层和/或第二上保温层,以调节第一开口和第二开口形成的测温孔的横截面积大小,进而调节长晶过程中坩埚内轴向温度梯度和径向温度梯度。该长晶装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度;并且可以在降低径向温度梯度的同时,可以保证具有一定的轴向温度梯度,而可以高效率的制得高质量的单晶。
搜索关键词: 一种 装置
【主权项】:
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