[实用新型]一种制备单晶的装置有效
| 申请号： | 201922422275.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211471635U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 高宇晗;方帅;周敏;姜兴刚;窦文涛;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种制备单晶的装置，属于半导体材料领域。该制备单晶的装置包括坩埚、加热线圈组和保温结构，坩埚形成生长腔，生长腔内设置籽晶，保温结构包括与籽晶对应位置设置测温孔的上保温结构，装置还包括调节机构，调节机构包括保温环组，保温环组的外径与测温孔的内径相同，保温环组的中心设置通孔，保温环组包括多个内径递减的保温环，调节机构能够将内径由大至小的保温环放入测温孔，以减小测温孔的开口面积，进而调节生长腔内的径向温度梯度。该单晶生长装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进材料科技有限公司，未经山东天岳先进材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201922422275.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于携带的摄影灯
- 下一篇：一种高效拆卸安装的静压箱
