[实用新型]MOCVD石墨盘有效
申请号: | 201922435562.X | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN211771539U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 付羿;周名兵 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330096 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种MOCVD石墨盘,包括:盘体及分布于所述盘体表面用于放置外延衬底的多个石墨卡槽,所述多个石墨卡槽于所述盘体上分布为内圈和外圈;在外圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。其于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方位沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设槽口,并在槽口内放置低导热系数高机械强度的垫片,能够改善MOCVD大尺寸外延片温度均匀性的同时提高MOCVD石墨盘的机械强度,增加石墨盘的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | mocvd 石墨 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的