[实用新型]瞬变电压抑制二极管有效
申请号: | 201922445887.6 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN214705934U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 顾兴冲;贾雪松;高超 | 申请(专利权)人: | 力特半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L29/45 | 分类号: | H01L29/45;H01L29/06;H01L29/861 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
地址: | 214142 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种瞬变电压抑制二极管,包括:衬底;位于所述衬底背面的第一电极;位于所述衬底正面的第一离子掺杂区;位于所述第一离子掺杂区远离所述第一电极一面的多个第二离子掺杂区;所述第二离子掺杂区的离子掺杂浓度,大于所述第一离子掺杂区的离子掺杂浓度;所述第一离子掺杂区掺杂有第一类型离子,所述第二离子掺杂区掺杂有第二类型离子;覆盖所述第二离子掺杂区及所述第一离子掺杂区的第二电极。本实用新型实施例能够实现第一离子掺杂区和第二电极的欧姆接触。 | ||
搜索关键词: | 电压 抑制 二极管 | ||
【主权项】:
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