[实用新型]一种半导体芯片的sip封装结构有效
申请号: | 201922446603.5 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN210926014U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 邓明;潘丽;王玲;陈智彬 | 申请(专利权)人: | 安捷利(番禺)电子实业有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/485;H01L23/31 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 510000 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体芯片的sip封装结构,包括:第一铜箔;半导体芯片,通过导电胶贴装在第一铜箔上;介质层以及设置在介质层上的第二铜箔,层压在半导体芯片上以形成双面覆铜线路板;第一铜箔和第二铜箔上均设置有图形线路;设置在双面覆铜线路板上的镀铜孔,半导体芯片的电极通过镀铜孔电连接至图形线路;控制芯片,贴装在第二铜箔远离半导体芯片的一侧,控制芯片以金属键合的方式连接至第二铜箔上的图形线路;塑封层,设置在控制芯片上。本实用新型通过改变半导体芯片的封装方式为埋入式封装,从而将金属键合的导电方式变更成铜柱接触的导电方式,可以有效降低封装的内阻,并通过层压制作成SIP模组,从而实现阻值和空间的同时减小。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 sip 封装 结构 | ||
【主权项】:
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