[实用新型]一种倒装功率器件封装结构有效
申请号: | 201922448547.9 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN210925986U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 詹创发 | 申请(专利权)人: | 湖北方晶电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人: | 侯来旺 |
地址: | 443600 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种倒装功率器件封装结构,基板顶部贴合有异形导电金属层,并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱,通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接;功率半导体芯片的顶面成型有铝电极,并且在铝电极上键合有焊接金属球;异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层,将芯片和导电柱全部密封包裹,导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面;采用新的贴片封装结构,能够实现功率半导体芯片垂直导电的性能;用料少,单颗封装成本低;使用异形导电金属层的导电柱导通电流,比传统封装结构中焊线工艺电流密度大;采用绝缘材料进行侧边保护,实现工艺简单,用量少,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 功率 器件 封装 结构 | ||
【主权项】:
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