[实用新型]一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件有效
| 申请号： | 201922471072.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211529958U | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 许剑;钟传杰;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 无锡麟力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及VDMOS器件技术领域，尤其涉及一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件及其制造工艺，该器件包括：包括N+型衬底、N‑型外延层、P型体区、栅极氧化层、多晶硅栅极、多晶硅栅注入窗口、低电阻区、N+有源区、P+有源区、介质层和源极金属。本新型所述的中低压平面栅VDMOS器件采用平面栅结构，在平面栅的多晶硅局部挖空作为注入窗口，能够在积累区和JFET区形成额外的低电阻区，并且在形成低电阻区域的同时仍保留JFET区域，从而使得器件不仅具备低导通电阻，而且耐压和抗冲击能力维持不变；同时由于平面栅的多晶硅面积减少，降低了寄生Cgd米勒电容的面积，又能达到降低器件开关损耗，提高开关频率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 低压 平面 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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