[实用新型]一种基于立体封装技术的SDRAM存储器有效
| 申请号： | 201922495256.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211376639U | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 尹越;王伟 | 申请（专利权）人： | 青岛欧比特宇航科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L27/108;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于立体封装技术的SDRAM存储器，包括SDRAM芯片和基板，基板共三层且最上层的基板上设有一个SDRAM芯片，在相邻两个基板之间设有两个SDRAM芯片，基板上还设有第二对外引线桥，SDRAM芯片在基板上实现拓扑互连，引出的信号连接第二对外引线桥上，基板的下端设有底板，底板为对外引脚层且焊接有第一对外引线桥和对外引脚BGA焊盘，底板上设有BGA焊球，BGA焊球焊接在底板的对外引脚BGA焊盘上作为对外引脚。本实用新型采用立体封装技术单个存储器模块内完成五颗SDRAM拓扑互连布线，在PCB设计时不需要在进行繁琐的拓扑布线，大大缩短设计周期提高效率，且能够达到容量或位宽的扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 立体 封装 技术 sdram 存储器 | ||
【主权项】：
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