[发明专利]量子点结构及其制作方法、光学薄膜及其制作方法和显示装置在审
| 申请号： | 201980000106.2 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109844062A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张爱迪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L33/50;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种量子点结构及其制作方法、光学薄膜及其制作方法和显示装置。该量子点结构(100)包括量子点(110)，包括量子点本体(112)和量子点表层(114)，以及在量子点(110)的表面且部分覆盖量子点(110)的表面的氧化物层(120)。量子点表层(114)包括阴离子(116)，氧化物层(120)通过配位键与阴离子(116)相结合。该量子点结构(100)可提高量子点的光学稳定性和化学稳定性，并可维持量子点的初始荧光量子产率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 量子点结构 光学薄膜 显示装置 氧化物层 制作 阴离子 荧光量子产率 光学稳定性 化学稳定性 配位键 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种量子点结构，包括：量子点，包括量子点本体和量子点表层；以及氧化物层，在所述量子点的表面且部分覆盖所述量子点的表面，其中，所述量子点表层包括阴离子，所述氧化物层通过配位键与所述阴离子相结合。
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