[发明专利]集成电路封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201980000233.2 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109863596B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 陈鹏;周厚德;张保华;顾超 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种集成电路(IC)封装结构,包括:封装衬底,一个或多个管芯,包封材料,至少一个沟槽和散热结构。一个或多个管芯设置在封装衬底上。包封材料设置在封装衬底上,并被配置为将一个或多个管芯包封在封装衬底上。至少一个沟槽设置在包封材料中。散热结构的至少一部分设置在至少一个沟槽中。可以通过散热结构改善IC封装结构的冷却能力,而不会显著增大IC封装结构的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路(IC)封装结构,包括:封装衬底;一个或多个管芯,所述一个或多个管芯设置在所述封装衬底上;包封材料,所述包封材料设置在所述封装衬底上,并被配置为将所述一个或多个管芯包封在所述封装衬底上;至少一个沟槽,所述至少一个沟槽设置在所述包封材料中;以及散热结构,其中,所述散热结构的至少一部分设置在所述至少一个沟槽中。
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