[发明专利]使用虚设键合触点的混合键合在审
申请号: | 201980000242.1 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109923668A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了键合的半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中,一种半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一互连层,所述第一互连层包括第一互连。第一半导体结构还包括第一键合层,所述第一键合层包括第一键合触点。每个第一互连与相应的第一键合触点接触。第二半导体结构包括第二互连层,所述第二互连层包括第二互连。第二半导体结构还包括第二键合层,所述第二键合层包括第二键合触点。至少一个第二键合触点与相应的第二互连接触。至少另一个第二键合触点与第二互连分隔开。半导体器件还包括第一键合层与第二键合层之间的键合界面。每个第一键合触点在键合界面处与第二键合触点中的一个接触。 | ||
搜索关键词: | 键合 半导体结构 触点 键合层 互连 互连层 半导体器件 键合界面 触点接触 混合键合 分隔 虚设 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一半导体结构,所述第一半导体结构包括:第一互连层,所述第一互连层包括多个第一互连;以及第一键合层,所述第一键合层包括多个第一键合触点,每个所述第一互连与所述第一键合触点中的相应一个接触;第二半导体结构,所述第二半导体结构包括:第二互连层,所述第二互连层包括多个第二互连;以及第二键合层,所述第二键合层包括多个第二键合触点,所述第二键合触点中的至少一个与所述第二互连中的相应一个接触,并且所述第二键合触点中的至少另一个与所述第二互连分隔开;以及位于所述第一键合层与所述第二键合层之间的键合界面,其中,每个所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点中的一个接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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