[发明专利]具有静态随机存取存储器的三维存储器件的数据缓冲操作在审
| 申请号： | 201980000881.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110326047A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李跃平;万维俊;侯春源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417;G11C16/10;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 三维(3D)存储器件的实施例包括：具有多页的3D NAND存储器阵列；以及耦合到同一芯片上的存储器阵列并且被配置为对主机和存储器阵列之间的多批程序数据进行缓冲的管芯上数据缓冲器。所述管芯上数据缓冲器可以包括SRAM单元。所述3D存储器件还包括耦合到同一芯片上的所述管芯上数据缓冲器的控制器。所述控制器可以被配置为接收用于执行页中的存储器单元上的第一遍程序和第二遍程序的控制指令。所述控制器还可以被配置为将来自主机的用于第一遍程序的第一程序数据和用于第二遍程序的第二程序数据缓冲到所述管芯上数据缓冲器中以及检索来自所述管芯上数据缓冲器的所述第一程序数据。 | ||
| 搜索关键词： | 数据缓冲器 管芯 程序数据 控制器 存储器阵列 存储器件 耦合到 缓冲 主机 配置 静态随机存取存储器 芯片 三维存储器件 存储器单元 控制指令 数据缓冲 多页 三维 检索 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：具有多页的3D NAND存储器阵列；管芯上数据缓冲器，所述管芯上数据缓冲器耦合到同一芯片上的所述存储器阵列并且被配置为对主机和所述存储器阵列之间的多批程序数据进行缓冲，所述管芯上数据缓冲器包括静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及控制器，所述控制器被耦合到所述同一芯片上的所述管芯上数据缓冲器并且被配置为：接收用于执行页中的存储器单元上的第一遍程序和第二遍程序的控制指令；将来自主机的用于第一遍程序的第一程序数据和用于第二遍程序的第二程序数据缓冲到所述管芯上数据缓冲器中；检索来自所述管芯上数据缓冲器的所述第一程序数据；在通过第一字线和第二字线形成的存储器单元上使用所述第一程序数据顺序地执行所述第一遍程序；检索来自所述管芯上数据缓冲器的所述第二程序数据；以及响应于完成了所述第一遍程序使用所述第二程序数据在通过所述第一字线形成的所述存储器单元上执行所述第二遍程序。
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