[发明专利]影像感测器及半导体结构有效
| 申请号： | 201980000968.5 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110972505B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨孟达 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请内容提供一种用以接收一入射光(111)的像素(120)，所述像素(120)包含一半导体基材(104)、设于所述半导体基材(104)中的一光电二极管(106)，以及设于所述半导体基材(104)上的一超颖表面结构(110)。所述超颖表面结构(110)有第一侧(110A)以及和第一侧(110A)相对的第二侧(110B)，超颖表面结构(110)第一侧(110A)朝向半导体基材(104)，超颖表面结构(110)的第二侧(110B)朝向入射光(111)。超颖表面结构(110)包含位于第二侧(110B)的多个沟槽(110T)，其中由剖面观察，所述这些沟槽(110T)有相同的轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 感测器 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
