[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号： | 201980001057.4 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110520976A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李峰;方业周 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨广宇<国际申请>=PCT/CN2019 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域，该方法包括：在衬底基板上形成开关单元；在开关单元远离衬底基板的一侧形成平坦层，平坦层上与输出电极对应区域具有平坦层过孔，平坦层过孔在衬底基板上的正投影位于输出电极在衬底基板上的正投影区域内；对输出电极上与平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀；在平坦层远离开关单元的一侧形成像素电极，像素电极通过平坦层过孔与输出电极接触。本公开可以减小输出电极与像素电极的接触电阻，提升开关单元的开关特性。本公开用于显示基板制造。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦层 输出电极 衬底基板 开关单元 像素电极 显示基板 正投影区域 接触电阻 开关特性 显示装置 正投影 减小 刻蚀 制造 | ||
【主权项】：
1.一种显示基板的制造方法，包括：/n在衬底基板上形成开关单元，所述开关单元包括输出电极；/n在所述开关单元远离所述衬底基板的一侧形成平坦层，所述平坦层上与所述输出电极对应区域具有平坦层过孔，所述平坦层过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述输出电极在所述衬底基板上的正投影区域内；/n对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀；/n在所述平坦层远离所述开关单元的一侧形成像素电极，所述像素电极通过所述平坦层过孔与所述输出电极接触。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980001057.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
