[发明专利]多晶硅表征方法有效
| 申请号： | 201980001162.8 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110431407B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘均展;沈超;夏志良;魏强民;李磊;宋海;王秉国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开的各个方案提供了用于多晶硅表征的方法。该方法包括接收在样品衬底上形成的多晶硅结构的图像数据。该图像数据在空间域中并且由透射电子显微镜(TEM)生成。此外，方法包括在频域中提取该图像数据的频谱。然后，该方法包括选择该频谱的子集，该频谱的子集对应于第一取向的第一晶粒的特征，并且将该频谱的所选的子集变换到空间域中来构造该第一取向的第一晶粒的第一空间图像。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 表征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅表征的方法，包括：接收在样品衬底上形成的多晶硅结构的图像数据，所述图像数据在空间域中并且由透射电子显微镜(TEM)生成；在频域中提取所述图像数据的频谱；选择所述频谱的对应于第一取向的第一晶粒的特征的子集；和将所述频谱的所选子集变换到空间域中来构造所述第一取向的所述第一晶粒的第一空间图像。
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