[发明专利]互连结构及其形成方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法，包括在半导体结构上方形成掩模叠层。掩模叠层具有第一掩模层和第二掩模层，其中第二掩模层布置在第一掩模层和半导体结构之间。该方法还包括在掩模叠层中图案化第一图案。第一图案包括：第一开口，其具有形成在第一掩模层中的第一侧壁；第二开口，其具有形成在第二掩模层中的第二侧壁；以及第三开口，其具有形成在半导体结构中的第三侧壁。第一图案的相应开口的第一、第二和第三侧壁围绕中心轴形成，其中第二开口的第二侧壁的位置分别比第一开口和第三开口的第一侧壁和第三侧壁更远离中心轴。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n在半导体结构上方形成掩模叠层，所述掩模叠层包括第一掩模层和布置在所述第一掩模层和所述半导体结构之间的第二掩模层；以及/n图案化所述掩模叠层中的第一图案，所述第一图案包括具有形成在所述第一掩模层中的第一侧壁的第一开口、具有形成在所述第二掩模层中的第二侧壁的第二开口、以及具有形成在所述半导体结构中的第三侧壁的第三开口，其中相应开口的所述第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁围绕中心轴形成，并且所述第二开口的第二侧壁的位置分别比所述第一开口的第一侧壁和所述第三开口的第三侧壁更远离所述中心轴。/n