[发明专利]电容装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201980001345.X | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112602192B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陆斌;沈健;皮波 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 徐勇勇;武甜 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种电容装置及其制备方法，所述电容装置包括：至少一个电容器；其中，所述至少一个电容器包括至少一层第一电介质层和至少一层第二电介质层，所述第一电介质层具有正的电压系数且所述第二电介质层具有负的电压系数；和/或，所述第一电介质层具有正的温度系数且所述第二电介质层具有负的温度系数。利用正负相消的原理，可以使得所述至少一个电容器作为一个整体时其电压系数和/或温度系数为0或接近0。由此，所述至少一个电容器的偏压或者温度发生变化时，其容值不会发生变化或变化较小，有效保证了所述电容装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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