[发明专利]具有闪速存储器控制器的键合的存储设备及其制造和操作方法有效
| 申请号： | 201980001519.2 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110537260B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 程卫华;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11526;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有闪速存储器控制器的键合的存储设备以及其制造和操作方法的实施例。在一示例中，存储设备包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括闪速存储器控制器、外围电路和包括多个第一键合接触部的第一键合层。该存储设备还包括第二半导体结构，该第二半导体结构包括NAND存储单元阵列和包括多个第二键合接触部的第二键合层。该存储设备进一步包括在第一键合层与第二键合层之间的键合界面。第一键合接触部在键合界面处与第二键合接触部相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储器 控制器 存储 设备 及其 制造 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，包括：/n第一半导体结构，其包括闪速存储器控制器、外围电路和包括多个第一键合接触部的第一键合层；/n第二半导体结构，其包括NAND存储单元阵列和包括多个第二键合接触部的第二键合层；以及/n在所述第一键合层与所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合接触部在所述键合界面处与所述第二键合接触部相接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
