[发明专利]三维存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980001649.6 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110574162B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;薛磊;刘威;黄诗琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 赵磊;刘柳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于形成3D存储器器件的栅极结构的方法。所述方法包括形成包括外围区域以及阶梯和阵列区域的阵列晶圆。形成阵列晶圆的过程包括：在所述外围区域中的第一衬底上形成交替电介质蚀刻停止结构；在所述阶梯和阵列区域中的第一衬底上形成阵列器件；以及在所述外围区域中形成与所述交替电介质蚀刻停止结构相接触的至少一个第一垂直贯穿触点。所述方法还包括形成CMOS晶圆，并且将阵列晶圆和CMOS晶圆键合。所述方法还包括形成穿透第一衬底和交替电介质蚀刻停止结构并且与至少一个第一垂直贯穿触点相接触的至少一个贯穿衬底触点。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：/n形成包括外围区域以及阶梯和阵列区域的阵列晶圆，包括：/n在所述外围区域中的第一衬底上形成交替电介质蚀刻停止结构，/n在所述阶梯和阵列区域中的所述第一衬底上形成阵列器件，以及/n形成至少一个第一垂直贯穿触点，其位于所述外围区域中并且与所述交替电介质蚀刻停止结构相接触；形成CMOS晶圆；键合所述阵列晶圆和所述CMOS晶圆；以及/n形成穿透所述第一衬底和所述交替电介质蚀刻停止结构并且与所述至少一个第一垂直贯穿触点相接触的至少一个贯穿衬底触点。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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