[发明专利]垂直存储器设备在审
| 申请号： | 201980001762.4 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110622311A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 韩玉辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的各方面提供了半导体设备。该半导体设备包括：衬底、多个栅极层和多个绝缘层。多个栅极层和多个绝缘层交替地堆叠在衬底的第一区之上，并以阶梯台阶形式堆叠在衬底的第二区之上。半导体设备还包括：布置在第一区之上并穿过多个栅极层和多个绝缘层的沟道结构。该沟道结构和多个栅极层以串联配置方式形成晶体管的叠层，其中多个栅极层是用于晶体管的叠层的多个栅极。该半导体设备还包括：穿过阶梯台阶形式的第一阶梯区布置的第一虚设沟道结构、穿过相邻于第一阶梯区的阶梯台阶形式的第二阶梯区布置的第二虚设沟道结构，以及布置在第一阶梯区和第二阶梯区之间的边界处的第三虚设沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道结构 阶梯区 栅极层 半导体设备 绝缘层 阶梯台阶 衬底 虚设 第一区 晶体管 穿过 叠层 堆叠 串联配置 边界处 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：/n衬底；/n多个栅极层和多个绝缘层，其交替地堆叠在所述衬底的第一区之上，所述多个栅极层和所述多个绝缘层以阶梯台阶形式堆叠在所述衬底的第二区之上；/n沟道结构，其布置在所述第一区之上并穿过所述多个栅极层和所述多个绝缘层，并且所述沟道结构和所述多个栅极层以串联配置方式形成晶体管的叠层，其中所述多个栅极层是用于所述晶体管的叠层的多个栅极；/n第一虚设沟道结构，其穿过所述阶梯台阶形式的第一阶梯区来布置；/n第二虚设沟道结构，其穿过相邻于所述第一阶梯区的所述阶梯台阶形式的第二阶梯区来布置；以及/n第三虚设沟道结构，其布置在所述第一阶梯区和所述第二阶梯区之间的边界处。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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