[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980001911.7 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110637368B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴振勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11575 | 分类号： | H01L27/11575;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括第一衬底、第二衬底、存储阵列、电路结构、接合结构和屏蔽结构。第二衬底的第二正面面对第一衬底的第一正面。所述存储阵列布置在第一衬底上并且布置在第一衬底的第一正面处。所述电路结构布置在第二衬底上并且布置在第二衬底的第二正面处。所述接合结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间。所述电路结构通所述接合结构与所述存储阵列电连接。所述屏蔽结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间，并且围绕所述接合结构。所述屏蔽结构电连接至电压源。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：/n第一衬底，其具有第一正面和第一背面；/n存储阵列，其布置在所述第一衬底上并且布置在所述第一衬底的所述第一正面处；/n第二衬底，其具有第二正面和第二背面，其中，所述第二衬底的所述第二正面面对所述第一衬底的所述第一正面；/n电路结构，其布置在所述第二衬底上并且布置在所述第二衬底的所述第二正面处；/n接合结构，其布置在所述存储阵列与所述电路结构之间，其中，所述电路结构通过所述接合结构与所述存储阵列电连接；以及/n屏蔽结构，其布置在所述存储阵列与所述电路结构之间并且围绕所述接合结构，其中，所述屏蔽结构电连接至电压源。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980001911.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：VFET架构内的超长沟道器件
- 下一篇：稳定的SOI FET的可管理衬底效应
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
