[发明专利]金覆盖银接合线和其制造方法及半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 201980001958.3 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112088425A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 安德优希;川野将太;崎田雄祐 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够抑制基于球压缩部间的离子迁移的短路等的金覆盖银接合线。金覆盖银接合线1具有包含银作为主要成分的芯材2、和设置于芯材2的表面且包含金作为主要成分的覆盖层3。金覆盖银接合线1相对于引线的整体量，以2质量％～7质量％的范围包含金，并且以1质量ppm～80质量ppm的范围包含选自硫、硒及碲中的至少1种硫族元素。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 接合 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于田中电子工业株式会社，未经田中电子工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980001958.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线局域网的通信方法、装置、终端及可读存储介质
- 下一篇：剥皮装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
