[发明专利]一种LED巨量转移的方法及装置在审
| 申请号： | 201980001985.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111183511A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 许时渊 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/68;H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LED巨量转移的方法及装置，所述方法包括：检测并获取载体基板上损坏LED的位置信息；根据所述位置信息对所述载体基板进行相应的光束照射，使得照射后的所述损坏LED与所述载体基板分离；将所述光束照射后保留在所述载体基板上的未损坏LED转移至目标基板上。本申请通过载体基板上损坏LED的位置信息对所述载体基板进行相应的光束照射，定位简单精确，且通过光束照射载体基板后能使损坏LED与载体基板一次性完全分离，并能使未损坏LED一次性转移至目标基板上，转移效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 巨量 转移 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
