[发明专利]辐射探测器、操作辐射探测器的方法以及制造辐射探测器的方法在审
申请号: | 201980002128.2 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110945659A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 苏静杰;丁志;孔德玺;侯学成;占香蜜;张冠;钟昆璟;夏会楠 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种具有多个像素的辐射探测器。多个像素中的相应一个像素包括:基底基板;薄膜晶体管,其位于所述基底基板上;绝缘层,其位于所述薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧;光传感器,其位于所述绝缘层的远离所述基底基板的一侧;钝化层,其位于所述光传感器的远离所述基底基板的一侧;闪烁层,其位于所述钝化层远离所述基底基板的一侧;以及反射层,其位于所述闪烁层的远离所述基底基板的一侧。所述光传感器包括与所述钝化层直接接触的第一极性层。所述第一极性层的除了所述光传感器内部的侧面之外的所有侧面与所述钝化层完全直接接触。 | ||
搜索关键词: | 辐射 探测器 操作 方法 以及 制造 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的