[发明专利]辐射探测器、操作辐射探测器的方法以及制造辐射探测器的方法在审

专利信息
申请号: 201980002128.2 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN110945659A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 苏静杰;丁志;孔德玺;侯学成;占香蜜;张冠;钟昆璟;夏会楠 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01T1/20
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 姜春咸;冯建基
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 提供了一种具有多个像素的辐射探测器。多个像素中的相应一个像素包括:基底基板;薄膜晶体管,其位于所述基底基板上;绝缘层,其位于所述薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧;光传感器,其位于所述绝缘层的远离所述基底基板的一侧;钝化层,其位于所述光传感器的远离所述基底基板的一侧;闪烁层,其位于所述钝化层远离所述基底基板的一侧;以及反射层,其位于所述闪烁层的远离所述基底基板的一侧。所述光传感器包括与所述钝化层直接接触的第一极性层。所述第一极性层的除了所述光传感器内部的侧面之外的所有侧面与所述钝化层完全直接接触。
搜索关键词: 辐射 探测器 操作 方法 以及 制造
【主权项】:
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