[发明专利]用于半导体器件阵列的后侧深隔离结构在审
| 申请号： | 201980002587.0 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110914988A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘威;陈顺福;甘程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成三维存储器件的方法包括在第一衬底的第一侧上形成多个半导体器件阵列以及在多个半导体器件阵列上形成第一互连层。该方法还包括在第二衬底上形成包括多个存储单元的存储器阵列和第二互连层。该方法还包括键合第一和第二互连层以及穿过第一衬底的与第一侧相对的第二侧形成一个或多个隔离沟槽以暴露第一衬底的第一侧的一部分。一个或多个隔离沟槽形成于多个半导体器件阵列中的第一和第二半导体器件阵列之间。该方法还包括设置隔离材料以在一个或多个隔离沟槽中分别形成一个或多个隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 阵列 后侧深 隔离 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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