[发明专利]用于在三维存储器件中形成阶梯的方法和结构在审
| 申请号： | 201980003378.8 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111033729A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘新鑫;耿静静;杨竹;左晨;王香凝 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种三维(3D)存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括具有多个阶梯的存储堆叠体。每个阶梯可以包括交织的一个或多个导体层以及一个或多个电介质层。所述阶梯中的每个包括所述导体层的在所述阶梯的顶表面上的一个导体层，所述一个导体层具有：(i)与电介质层之一接触的底部部分，以及(ii)通过存储堆叠体暴露并且与所述底部部分接触的顶部部分。所述顶部部分的横向尺寸可以小于底部部分的横向尺寸。所述顶部部分的可以横向远离所述存储堆叠体的端部超出所述底部部分一距离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储 器件 形成 阶梯 方法 结构 | ||
【主权项】：
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