[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201980003452.6 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111868890A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高木优汰;广田侯然;井上喜晴;宫地正和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在短时间内除去腔室内的残留卤素等，改善吞吐量的等离子体处理方法具有：蚀刻工序，在腔室内蚀刻晶片；等离子体清洁工序，通过向腔室内导入包含卤素元素的气体，从而除去所述腔室的内壁的异物；以及残留卤素除去工序，通过在所述腔室内交替地反复含有氧的等离子体的导通状态和截止状态，从而除去在所述等离子体清洁工序中残留在所述腔室内的卤素元素。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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