[发明专利]等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201980003473.8 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN112119484A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 高松知广;荒濑高男;梶房裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是鉴于这种课题而完成的，提供一种形成多晶硅膜的掩模层的等离子体处理方法，该方法能够抑制蚀刻形状异常。本发明的特征在于，在对多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法中，使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气以及羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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