[发明专利]磁阻随机存取存储器有效
| 申请号： | 201980003774.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111108617B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 潘绪文;袁刚;彭楠;蔡武尧 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁存储器件包括：芯元件；包围芯元件的自由层；包围自由层的阻挡层；以及包围阻挡层的参考层。芯元件的两端分别电耦合至第一电极和第二电极。自由层的磁化方向可以在沿着芯元件流动的电流的影响下在第一方向和第二方向之间切换。阻挡层包括电绝缘材料。参考层电耦合到第三电极。参考层的磁化方向保持沿第一方向或第二方向。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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