[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980004046.1 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111052394A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 今川铁太郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8249;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有效地利用半导体基板的焊盘间区域的半导体装置。所述半导体装置具备：多个焊盘，其在设置有晶体管部或二极管部的区域与半导体基板的上表面的第一端边之间沿排列方向排列；以及向晶体管部传递栅极电压的栅极流道部，在所述半导体装置中，栅极流道部具有：第一栅极流道，其在俯视下，通过半导体基板的第一端边与至少一个焊盘之间而设置；第二栅极流道，其在俯视下，通过至少一个焊盘与晶体管部之间而设置，晶体管部还设置在焊盘间区域，设置在焊盘间区域的栅极沟槽部与第一栅极流道连接，在延伸方向上与第二栅极流道对置地配置的栅极沟槽部与第二栅极流道连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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