[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980004103.6 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111066145B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 仲村秀世;堀元人;稻叶祐树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/02;H01L23/48;H01L25/18;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低电感的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：第一电路基板在(3)，其具有第一电路图案层(3c)；半导体元件(5)，其搭载于第一电路图案层(3c)；第二电路基板(9)，其具有第二电路图案层(9b)；连接销(7)，其连接半导体元件(5)与第二电路图案层(9b)；销状端子(17)，其与第二电路图案层(9b)电连接；密封部件(2)，其树脂密封第一电路基板(3)、半导体元件(5)、第二电路基板(9)以及连接销(7)；以及外部端子(27)，其具有平板部(27s)、以及从平板部(27s)弯曲而向与第二电路基板(9)分离的方向延伸的延伸部(27t)，平板部(27s)与销状端子(17)连接并与第二电路图案层(9b)平行地配置，并且，延伸部(27t)设置在密封部件(2)的短边方向上的宽度的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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