[发明专利]一种用于制作光电半导体芯片的方法及其所使用的键合晶圆在审
| 申请号： | 201980004714.0 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN111183513A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 谢斌晖;陈铭欣;萧尊贺;郑贤良;宋志棠;刘卫丽 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制作光电半导体芯片的方法及其所使用的键合晶圆，晶圆材料包括蓝宝石、碳化硅、砷化镓等用于外延（epitaxy）的晶圆。此方法将传统晶圆分成母晶圆、子晶圆，运用适当的键合技术将母晶圆与子晶圆键合后，能耐外延时约1000度的高温与应力产生的翘曲变化；外延后使用非物理破坏方式解开键合。母晶圆可以循环使用，子晶圆与外延层直接用于芯片制程，不需要减薄或少量减薄，解决了大尺寸外延晶圆的原材料与芯片加工成本问题，并得到波长均匀性更好的外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 光电 半导体 芯片 方法 及其 使用 键合晶圆 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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