[发明专利]一种制作半导体发光元件的方法有效
| 申请号： | 201980004736.7 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111164766B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 贾月华;吴俊毅;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种制作半导体发光元件的方法，包括：获得半导体序列层，包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层和第三半导体层，第三半导体层作为第一牺牲层在第二导电类型半导体层一侧；蚀刻第一牺牲层形成多个开口；制作欧姆接触块在开口内；在欧姆接触块的上方制作第二牺牲块；蚀刻去除第一牺牲层；制作氟化物绝缘层覆盖第二导电类型半导体层以及第二牺牲块；去除多处第二牺牲块，形成氟化物绝缘层和多个欧姆接触块覆盖在第二导电类型半导体层侧。以第三半导体层为第一牺牲层，结合CVD制作的绝缘层作为第二牺牲块，可以有效控制上宽下窄的牺牲块的尺寸在合理范围内，从而获得均匀开口的氟化物绝缘层以及平整的氟化物绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 发光 元件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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