[发明专利]等离子处理装置在审
| 申请号： | 201980005152.1 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112616320A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 森功;伊泽胜;安井尚辉;池田纪彦;山田一也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 等离子处理装置具备：对试样进行等离子处理的处理室；供给用于生成等离子的高频电力的第一高频电源；载置所述试样的试样台；以及向所述试样台供给高频电力的第二高频电源，等离子处理装置还具备：直流电源，其将直流电压施加给所述试样台，所述直流电压通过周期性重复的波形而变化，一个周期的所述波形具有在给定时间变化给定量以上的振幅的期间。由此，能够除去晶片表面的带电粒子而得到垂直性高的沟道形状，此外能够降低沟道内部的并非蚀刻对象的膜的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
