[发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201980005362.0 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111279489B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 盐川阳平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01F10/32;H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的自旋轨道转矩型磁阻效应元件(101)具备：第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)、层叠了上述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线(5)，上述自旋轨道转矩配线沿着相对于上述第一铁磁性层的法线方向即第一方向(Z)交叉的第二方向(X)延伸，上述第一铁磁性层从上述自旋轨道转矩配线侧依次具有第一层叠结构体(10a)和界面磁性层(20)，上述第一层叠结构体是从上述自旋轨道转矩配线侧依次配置铁磁性导电体层(11a)和含氧化物层(12a)的结构体，上述铁磁性导电体层包含铁磁性金属元素，上述含氧化物层包含铁磁性金属元素的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 轨道 转矩 磁阻 效应 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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