[发明专利]半导体光元件、半导体光元件形成用构造体以及使用其的半导体光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201980005447.9 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111316515B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 诸桥伦大郎;能川亮三郎;厚井大明;山田由美 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓;奥普托埃内吉公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 周宏志;卢英日 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体光元件具备第一导电型半导体基板、以及设置于第一导电型半导体基板上的层叠体。在层叠体中，从第一导电型半导体基板侧起依次层叠有第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层、以及第二导电型接触层。第二导电型半导体层具有将碳作为掺杂剂掺杂于化合物半导体中的碳掺杂第二导电型半导体层、以及将ⅡA族元素作为掺杂剂掺杂于化合物半导体中的ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层，碳掺杂第二导电型半导体层配置于比ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层靠近活性层的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 形成 构造 以及 使用 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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