[发明专利]含有氢扩散阻挡结构的三维存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201980005829.1 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111373533B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | T.藤田;K.宍户;小川裕之;西川昌利;A.西田;M.乔杜里 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B43/35;H10B43/20;H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包含半导体装置、上覆氮化硅扩散屏障层，以及延伸穿过所述氮化硅扩散屏障层的互连结构。所述互连结构包含钛扩散屏障结构，其与所述氮化硅扩散屏障层接触以形成连续氢扩散屏障结构。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 扩散 阻挡 结构 三维 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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