[发明专利]使用阈值可调整竖直晶体管的内容可寻址存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201980005939.8 | 申请日： | 2019-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111373477A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | C.J.佩蒂 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C15/04 | 分类号： | G11C15/04;G11C11/22;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种内容可寻址存储器单元阵列，其包含沿着第一轴线平行的多条匹配线、沿着第一轴线平行的多条接地线、基本上垂直于所述第一轴线平行安置的多条搜寻线，且每个内容可寻址存储器元件均安置于所述匹配线中对应的一条匹配线与所述接地线中对应的一条接地线之间并各自耦合到所述搜寻线中对应的一条搜寻线，其中内容可寻址存储器元件包括竖直晶体管，所述竖直晶体管包括栅极氧化物，所述栅极氧化物包括铁电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 阈值 可调整 竖直 晶体管 内容 寻址 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980005939.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：交联聚烯烃隔膜及其制造方法
- 下一篇：一种SGLTs抑制剂及其应用
