[发明专利]含有到竖直通道底部的源极触点的三维存储器装置及其制作方法

摘要

一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的源极层级材料层，所述源极层级材料层含有源极触点层；位于衬底层级材料层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠，使得所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和具有接触所述源极触点层的相应水平表面的底部表面的竖直半导体通道；以及电介质柱结构，其嵌入于所述衬底层级材料层内且位于所述存储器堆叠结构之间。