[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980006159.5 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111448656B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 山田教文 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/82;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
半导体装置包括：半导体芯片(30)，其包含半导体基板(29)、半导体基板(29)的上表面的上表面电极(31‑1、31‑2)、选择性地覆盖上表面电极(31‑1、31‑2)的上表面的端部的绝缘膜(34)以及覆盖上表面电极(31‑1、31‑2)的上表面的在绝缘膜(34)的开口部暴露的部分的镀层(33‑1、33‑2)；金属布线板(60)，其包含位于绝缘膜(34)的上方和镀层(33‑1、33‑2)的上方的接合部(61)，并自接合部(61)的下表面向上方设有槽部(66‑1)；以及软钎料部(25)，其填满槽部(66‑1)，将接合部(61)的下表面与镀层(33‑1、33‑2)接合，在俯视时，绝缘膜(34)与镀层(33‑1、33‑2)之间的边界线A |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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