[发明专利]具有多堆叠接合结构的三维存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980006578.9 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111684583B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 十时裕二;井上茂久;葛西之;松冈裕则 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/50;H10B41/27;G11C16/04;G11C16/08;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“具有使用逻辑管芯和多个三维存储器管芯的多堆叠接合结构的三维存储器器件及其制造方法”。一种第一存储器管芯，包括第一存储器堆叠结构的阵列和逻辑管芯，该逻辑管芯包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。该CMOS电路包括第一外围电路，该第一外围电路通过包括在第一存储器管芯内的第一金属互连结构的第一子集电耦合到第一存储器堆叠结构的阵列的节点。第二存储器管芯接合至该第一存储器管芯。该第二存储器管芯包括第二存储器堆叠结构的阵列。该CMOS电路包括第二外围电路，该第二外围电路通过包括在该第一存储器管芯内的该第一金属互连结构的第二子集并且通过包括在该第二存储器管芯内的第二金属互连结构电耦合到该第二存储器堆叠结构的阵列的节点。该逻辑管芯提供外围器件，该外围器件支持多个存储器管芯中的存储器堆叠结构的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 接合 结构 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980006578.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子控制装置
- 下一篇：具有电介质支撑柱的多层三维存储器装置及其制造方法
