[发明专利]半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 201980006691.7 | 申请日： | 2019-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111512434B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 西田祐平;百瀬文彦;出野尭;北村征宽 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社;同和金属技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18;H05K3/28 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供绝缘性基板与密封树脂之间的接合性进一步提高的半导体模块及其制造方法。该半导体模块(50)包括：绝缘性基板(23)；电路图案(24)，其形成于该绝缘性基板上；半导体元件(25、26)，其接合于该电路图案上；以及密封树脂(28)，其密封所述绝缘性基板、所述电路图案以及所述半导体元件。而且，该半导体模块(50)的特征在于，对于所述绝缘性基板的表面(23a)的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.15μm以上，在宽度3μm的范围内求得的平均粗糙度为0.02μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社;同和金属技术有限公司，未经富士电机株式会社;同和金属技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980006691.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新无线电网络中PLMN选择的增强
- 下一篇：有机无机杂化膜
