[发明专利]记忆体测试阵列有效
| 申请号： | 201980006755.3 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111527608B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘峻志;廖昱程;邱泓瑜;李宜政 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H01L23/544;H01L29/423;H10N70/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种记忆体测试阵列包含第一记忆体元件阵列、第二记忆体元件阵列以及多个共用导电垫。第一记忆体元件阵列包含多条第一位元线、多条第一字线、多个第一晶体管。多个第一晶体管各包含第一源/漏极及第一栅极。第一晶体管的第一栅极的至少二者具有不同的长度。第二记忆体元件阵列与第一记忆体元件阵列相邻。第二记忆体元件阵列包含多条第二位元线、多条第二字线以及多个第二晶体管。共用导电垫各具有第一端及第二端；第一端电性连接于第一位元线且第二端电性连接于第二位元线，或者第一端电性连接于第一字线且第二端电性连接于第二字线。本揭示内容的记忆体测试阵列可以有效节省记忆体测试晶片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 测试 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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