[发明专利]先进的接触孔图案化的方法在审
| 申请号： | 201980007134.7 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN111542919A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 安东·德维利耶;科里·莱姆利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中的技术包括形成蚀刻掩模以形成接触孔和其他特征的方法。与传统的直接印刷光刻方法相比，本文中的技术使用反转方法来创建具有改善的临界尺寸均匀性和接触边缘粗糙度的接触孔图案。柱被印刷为最初的结构。最初的结构被重新成形以改变平滑度、均匀性和/或尺寸。共形膜沉积在柱上。共形膜可以包括含金属的材料。执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至基板的工作表面，从而留下基板的工作表面上的共形膜。然后，该共形膜可以被用作用于其他图案转印的蚀刻掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 接触 图案 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
