[发明专利]具有优化的掺杂分布和不同过渡区域厚度的硅基调制器在审
| 申请号： | 201980007179.4 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111712755A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·德莱尔-西马德;伊夫·潘绍 | 申请（专利权）人： | 希尔纳公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 罗小晨;刘继富 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种硅基调制器包括：波导芯(1)，其为PN结区域(12)；第一过渡区域(2)，其是在横向方向上与波导芯(1)相邻的P侧区域(16)；第二过渡区域(2)，其是在横向方向上与波导芯(1)相邻的并且与第一过渡区域(2)位于相反侧上的N侧区域(16)；与第一过渡区域(2)相邻的第一电接触区域(3)；以及与第二过渡区域(2)相邻的第二电接触区域(3)，其中，第一过渡区域和第二过渡区域中的至少一个沿纵向方向具有掺杂浓度的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 掺杂 分布 不同 过渡 区域 厚度 基调 | ||
【主权项】：
暂无信息
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