[发明专利]具有机械结构增强的垂直存储单元在审
| 申请号： | 201980007407.8 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111771278A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | A·杨;李忠浩;E·马泰弗;J·弗莱;林政毅;B·比亚尼;沈章焕 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 姚杰 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种增强的垂直NAND结构。所述增强的垂直‑NAND结构包括形成为第一和第二垂直结构的第一组交错的氧化物和氮化物层。所述第一垂直结构从衬底的第一部分升高，并且所述第二垂直结构从所述衬底的第二部分升高。所述增强的垂直‑NAND结构还包括增强层以及形成为第三和第四垂直结构的第二组交错的氧化物和氮化物层。所述增强层包括彼此分开且横跨所述第一和第二垂直结构的各个顶部的片材，以及连接所述片材的桥。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 机械 结构 增强 垂直 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
